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[发明专利]薄膜光波导及其制备方法-CN201911360469.5在审
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明设计一种薄膜光波导，包括硅基衬底、设置在硅基衬底上的包层以及设置在硅基衬底上的光波导芯层，光波导芯层设于包层之中并且光波导芯层折射率高于包层的折射率，光波导芯层包括双层光波导介质薄膜以及设置于双层光波导介质薄膜之间的薄膜材料夹层，薄膜材料夹层为二维晶格亚波长结构，薄膜材料夹层为用以对光波导介质薄膜进行热光系数补偿的负热光系数材料。本发明利用二维晶格亚波长薄膜光波导的负热光系数材料对光波导介质薄膜进行热光系数补偿，无需设置额外的负热光系数镀层，降低了工艺的复杂成度和成本，确保了均匀控温，简化了薄膜光波导的结构并保证了薄膜光波导的热稳定性能
薄膜波导及其制备方法

[实用新型]薄膜光波导-CN201922387866.3有效
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本实用新型设计一种薄膜光波导，包括硅基衬底、设置在硅基衬底上的包层以及设置在硅基衬底上的光波导芯层，光波导芯层设于包层之中并且光波导芯层折射率高于包层的折射率，光波导芯层包括双层光波导介质薄膜以及设置于双层光波导介质薄膜之间的薄膜材料夹层，薄膜材料夹层为二维晶格亚波长结构，薄膜材料夹层为用以对光波导介质薄膜进行热光系数补偿的负热光系数材料。本实用新型利用二维晶格亚波长薄膜光波导的负热光系数材料对光波导介质薄膜进行热光系数补偿，无需设置额外的负热光系数镀层，降低了工艺的复杂成度和成本，确保了均匀控温，简化了薄膜光波导的结构并保证了薄膜光波导的热稳定性能
薄膜波导

[发明专利]波导薄膜电缆-CN200680027335.6无效
发明人：小野位 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2006-04-20 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及在薄膜上形成波导的波导薄膜电缆，该波导薄膜电缆具有被覆层，构成该被覆层的材料杨氏模量等于或小于构成薄膜和/或波导的材料之杨氏模量，所述被覆膜盖住薄膜和/或波导的一部分或全部。
波导薄膜电缆

[发明专利]薄膜光波导及其制备方法-CN201911360478.4在审
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明所涉及的薄膜光波导包括硅基衬底、设置在硅基衬底上的包层以及设置在硅基衬底上的光波导芯层，光波导芯层设于包层之中并且光波导芯层折射率高于包层的折射率，光波导芯层包括双层光波导介质薄膜以及设置于双层光波导介质薄膜之间的薄膜材料夹层，薄膜材料夹层为二维晶格亚波长结构，二维晶格亚波长结构的有效晶格常数和占空比在各个传播方向上近似相同，以使薄膜光波导的有效折射率近似各向同性。该发明克服了有效折射率近似各向同性的二维晶格亚波长结构的薄膜光波导设计结构复杂和工艺误差的问题，不需要额外的结构设计和改变二维晶格方向，简化了薄膜光波导的结构并保证了薄膜光波导的性能。
薄膜波导及其制备方法

[发明专利]光电混载薄膜以及收放了它的电子设备-CN200780013144.9有效
发明人：盐田刚史;山田一博 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高耐屈曲性的光电混载薄膜。具体地说，本发明涉及具有光波导薄膜以及在所述光波导薄膜上的导电布线薄膜的光电混载薄膜，所述光电混载薄膜在其两端部之间具有所述导电布线薄膜和所述光波导薄膜未被固定的隔离部，在该隔离部，所述光波导薄膜具有沿长度方向延伸的狭缝，并且该狭缝贯穿所述光波导薄膜。
光电薄膜以及电子设备

[实用新型]薄膜光波导-CN201922365439.5有效
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本实用新型所涉及的薄膜光波导包括硅基衬底、设置在硅基衬底上的包层以及设置在硅基衬底上的光波导芯层，光波导芯层设于包层之中并且光波导芯层折射率高于包层的折射率，光波导芯层包括双层光波导介质薄膜以及设置于双层光波导介质薄膜之间的薄膜材料夹层，薄膜材料夹层为二维晶格亚波长结构，二维晶格亚波长结构的有效晶格常数和占空比在各个传播方向上近似相同，以使薄膜光波导的有效折射率近似各向同性。该实用新型克服了有效折射率近似各向同性的二维晶格亚波长结构的薄膜光波导设计结构复杂和工艺误差的问题，不需要额外的结构设计和改变二维晶格方向，简化了薄膜光波导的结构并保证了薄膜光波导的性能。
薄膜波导

[发明专利]基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器-CN202010004894.7有效
发明人：徐培鹏;张杰英;周俊;王艳群;张日臻;张巍 -专利权人：宁波大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器，特点是由下到上包括依次相叠的硅衬底、二氧化硅层和硅薄膜基座，硅薄膜基座上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，硅薄膜基座包括两个对称设置的未掺杂硅薄膜区、位于两个未掺杂硅薄膜区之间的两个对称设置的重度掺杂硅薄膜区和位于两个重度掺杂硅薄膜区之间的轻度掺杂硅薄膜区，输入波导和输出波导位未掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导位于轻度掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导由沿水平方向设置的相变材料GST和对称设置在相变材料GST两侧面的硅波导构成，重度掺杂硅薄膜的顶面设置有金属触点，优点是结构紧凑、驱动电压小、消光比高且功耗低。
基于相变材料复合波导电光调制器

[发明专利]一种基于侧壁覆膜的波导无法兰互连结构-CN202110725533.6有效
发明人：张勇;吴成凯;邓乐 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01P1/04 文献下载
摘要：本发明属于毫米波及太赫兹频段波导互连技术领域，具体为一种基于侧壁覆膜的波导无法兰互连结构。包括输入矩形波导、输出矩形波导、薄膜矩形波导和母板，输入和输出矩形波导通过薄膜矩形波导相连。薄膜矩形波导为金属薄膜构成的端头贯通的方筒状结构。薄膜矩形波导的一端插入到输入矩形波导内，其外壁与输入矩形波导的内壁连接；薄膜矩形波导的另一端插入到输出矩形波导内，其外壁与输出矩形波导的内壁连接；母板用于固定输入矩形波导和输出矩形波导。
一种基于侧壁波导法兰互连结构

[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器-CN202210886691.4在审
发明人：陶诗琦;孙昊骋;袁帅 -专利权人：上海安湃芯研科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器，包括：薄膜铌酸锂波导芯层和起偏器波导芯层保护部；所述起偏器波导芯层保护部包裹所述薄膜铌酸锂波导芯层；所述薄膜铌酸锂波导芯层包括起偏波导系统，所述起偏波导系统包括：输入波导单元、耦合单元和输出波导单元；所述输入波导单元、所述耦合单元和所述输出波导单元依次相连；所述输入波导单元包括：绝热锥型波导传输段；其中，所述起偏器波导芯层保护部用于保护所述薄膜铌酸锂波导芯层。本申请基于薄膜铌酸锂材料实现具有高消光比、低损耗和小尺寸的片上起偏器件，可应用于集成光学系统中，不仅有利于器件的集成化和芯片的小型化，而且工艺技术成熟，成本低廉。
一种基于薄膜铌酸锂干涉耦合器型起偏器

[发明专利]一种硅等离子体辅助的薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构-CN202310395504.7有效
发明人：李俊慧;杨德伟 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本申请公开一种硅等离子体辅助的薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构，属于光电子器件，其包括薄膜铌酸锂Y波导和设置于薄膜铌酸锂Y波导的直波导上的硅等离子体波导，硅等离子体波导包括条形波导和条形波导周围的硅基底，条形波导上设计光栅，光栅朝向直波导的方向设置，硅基底上设置有金属层。本申请提供的技术方案中，采用铌酸锂薄膜制作Y波导芯片，可以实现小型化、低半波电压、便于后续集成，而且通过在薄膜铌酸锂Y波导的直波导上设计硅等离子体波导，可以使薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构实现高偏振消光比的工作状态
一种等离子体辅助薄膜铌酸锂波导混合集成结构

[发明专利]一种CWDM光发送芯片-CN202211099433.8在审
发明人：张凯鑫;张赞允 -专利权人：苏州微光电子融合技术研究院有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种CWDM光发送芯片，包括：SiNx光栅耦合器、SiNx模斑转换器、波导转换器、SiNx‑薄膜铌酸锂电光调制器、SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件、SiNx‑薄膜铌酸锂CWDM波分复用器，其特征在于，SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层，形成SiNx波导器件层，薄膜铌酸锂直接键合在SiNx波导器件层上，SiNx波导器件层用于刻蚀SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件，SiNx波导器件层上依次覆盖二氧化硅薄膜层与薄膜铌酸锂层；本发明利用薄膜铌酸锂材料的电光调制特性，采用倒脊形波导结构，能够实现高速电光调制，将波分复用与电光调制集成，实现了高速率、大容量的信号传输。
一种 cwdm 发送芯片

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的凹槽辅助式声光调制器-CN202110606401.1有效
发明人：黄冬梅;徐银;杨洋;程子豪;李锋;卫炳江 -专利权人：香港理工大学深圳研究院;江南大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的凹槽辅助式声光调制器，其中，所述声光调制器包括：铌酸锂薄膜层；设置于所述铌酸锂薄膜层上的铌酸锂薄膜波导和叉指换能器，其中，所述铌酸锂薄膜波导的顶部刻有凹槽。由于传统的基于铌酸锂薄膜设计的声光调制器中采用的光波导结构均为规则的条形波导，规则的条形波导基于表面声波产生的声光互作用效率不高，而本发明在铌酸锂薄膜波导的顶部刻有凹槽，可以增强铌酸锂薄膜波导基于表面声波产生的形变位移场与波导光学电磁场之间的相互作用
一种基于铌酸锂薄膜凹槽辅助声光调制器

[发明专利]一种钽酸锂薄膜波导声光调制器-CN202010570977.2有效
发明人：温旭杰;王少葳;华平壤;宋伟;崔坤;卢明达;徐佳俊;王旭 -专利权人：中电科技德清华莹电子有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明涉及声光调制器技术领域，尤其是一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，由压电材料、光波导和压电换能器构成，所述光波导为LT薄膜光波导，所述压电换能器为分离式叉指换能器，LT薄膜光波导设置在压电材料上，分离式叉指换能器设置在LT薄膜光波导上，本发明采用Y42‑LNOT作为初始材料，使用VPPE技术制备了高质量的LT薄膜光波导，并充分利用材料优良的声光特性进一步制作出了高Q值、高调制效率、低损耗的LT薄膜波导声光调制器。
一种钽酸锂薄膜波导声光调制器

[发明专利]一种基于硫化物和铌酸锂的波导装置-CN202310404222.9在审
发明人：李朝晖;彭苑强;吕超 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种基于硫化物和铌酸锂的波导装置，涉及集成光学器件技术领域。该基于硫化物和铌酸锂的波导装置，包括硫化物波导加载层、薄膜铌酸锂层、过渡层和基底；薄膜铌酸锂层、过渡层和基底沿预设方向依次层叠设置，且薄膜铌酸锂层、过渡层和基底基于预设薄膜铌酸锂晶圆制备；硫化物波导加载层通过在薄膜铌酸锂层的表面沉积预设硫系材料获得，且硫化物波导加载层与薄膜铌酸锂层组成脊形波导的芯层，其中，薄膜铌酸锂层构成脊形波导的平板层、硫化物波导加载层构成脊形波导的rib结构。该基于硫化物和铌酸锂的波导装置可以实现降低传输损耗、提高非线性转换效率的技术效果。
一种基于硫化物铌酸锂波导装置

[发明专利]薄膜光波导及其制备方法-CN201911358266.2在审
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明所涉及的薄膜光波导，包括硅基衬底、设置在硅基衬底上的包层、以及设置在硅基衬底上的光波导芯层，光波导芯层设于包层之中并且光波导芯层折射率高于包层的折射率，光波导芯层包括双层光波导介质薄膜以及设置于双层光波导介质薄膜之间的薄膜材料夹层，薄膜材料夹层为二维晶格亚波长结构，二维晶格亚波长结构的有效晶格常数和占空比在同一传播方向上具有至少一个数值，以使薄膜光波导的有效折射率在同一传播方向上具有至少一个数值。该薄膜光波导克服工艺和材料的限制，实现在同一传播方向上具有可变的有效折射率，满足复杂的设计和应用情景，降低了可变有效折射率薄膜光波导的制作难度。
薄膜波导及其制备方法

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